2SC5566 FC 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
4A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
400MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~560 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
85mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1.3W |
| Description & Applications |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC/DC Converter Applications Applications · Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. Features · Adoption of FBET and MBIT processes. · High current capacitance. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · High-speed switching. · Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products. · High allowable power dissipation. |
| 描述与应用 |
NPN平面外延硅晶体管 DC/ DC转换器应用 应用 ?·继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，闪光灯。 特点 ?·领养的FBET兆位过程。 ?·高电流容量。 ?·低集电极 - 发射极饱和电压。 ?·高速开关。 ?·超小包装便于在终端的小型化 产品。 ?·高允许功耗。 |
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