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2SD1963 T100S
 型号：  2SD1963 T100S
 标记/丝印/代码/打字：  DGS
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-89/SC-62/MPT3
 批号：  05+
 库存数量：  800
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SD1963 T100S DGS 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 20V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 3A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 150MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 120~560
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 250mV/0.25V
耗散功率Pc Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications Power Transistor (-50V, -3A) featrues low saturation voltage excellent DC current gain characteristics
描述与应用 功率晶体管（-50V，-3A） 特点 低饱和电压 出色的DC电流增益特性
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