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BF5030W
 型号：  BF5030W
 标记/丝印/代码/打字：  KX
 厂家：  INFINEON
 封装：  SOT-343/SC70-4
 批号：  07+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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BF5030W KX 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 8V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 7V
最大漏极电流Id Drain Current 10mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.3V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications Silicon N-Channel MOSFET Tetrode ? For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz ? Operating voltage 5V
描述与应用 硅N沟道MOSFET四极管 ?低噪声，高增益控制 高达1GHz的输入阶段 ?工作电压5V
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