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BFG410W
 型号:  BFG410W
 标记/丝印/代码/打字:  P4
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOT-343
 批号:  0535+ROHS
 库存数量:  0
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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BFG410W P4 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 10V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 4.5V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 10-12mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 22GHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 50~120
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 54mW
Description & Applications ? NPN 22 GHz wideband transistor ? Very high power gain ? Low noise figure ? High transition frequency ? Emitter is thermal lead ? Low feedback capacitance. ? RF front end ? Wideband applications, e.g. analog and digital cellular telephones, cordless telephones (PHS, DECT, etc.) ? Radar detectors ? Pagers ? Satellite television tuners (SATV) ? High frequency oscillators.
描述与应用 ?NPN22 GHz的宽带晶体管 ?非常高的功率增益 ?低噪声系数 ?高转换频率 ?发射器是热的铅 ?低反馈电容。 ?RF前端 ?宽带应用,例如模拟和数字蜂窝 电话,无线电话(PHS,DECT等) ?雷达探测器 ?寻呼机 ?卫星电视调谐器(SATV) ?高频率的振荡器。
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