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BFP740
 型号：  BFP740
 标记/丝印/代码/打字：  R7s
 厂家：  INFINEON
 封装：  SOT-343
 批号：  0716+ROHS
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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BFP740 R7s 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 13V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 12V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 30mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 42Ghz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 160~400
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 160mW/0.16W
Description & Applications NPN Silicon Germanium RF Transistor* ? High gain ultra low noise RF transistor ? Provides outstanding performance for a wide range of wireless applications up to 10 GHz ? Ideal for CDMA and WLAN applications ? Outstanding noise figure F = 0.5 dB at 1.8 GHz Outstanding noise figure F = 0.85 dB at 6 GHz ? High maximum stable gain Gms= 27.5 dB at 1.8 GHz ? Gold metallization for extra high reliability ? 150 GHz fT-Silicon Germanium technology
描述与应用 NPN硅锗射频晶体管 ?高增益超低噪声RF晶体管 ?高达10 GHz的范围广泛的无线应用提供出色的性能 ?非常适于CDMA和WLAN应用 ?杰出的噪声指数为1.8GHz（F=0.5dB时） ?杰出的噪声指数为6 GHz（F =0.85dB时） ?高的最大稳定增益 ???GMS=27.5dB（1.8 GHz时） ?黄金金属额外的高可靠性 ?150 GHz的FT-硅锗技术
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