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NTS4001NT1G
 型号：  NTS4001NT1G
 标记/丝印/代码/打字：  TD
 厂家：  ON
 封装：  SOT-323/SC-70
 批号：  05+200PCSNOPB
 库存数量：  627
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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NTS4001NT1G TD 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 270mA/0.27A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 1.0Ω/Ohm @10A,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.8-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 330mW/0.33W
Description & Applications Small Signal MOSFET 30 V, 270 mA, Single N?Channel, SC?70 ? Low Gate Charge for Fast Switching ? Small Footprint ? 30% Smaller than TSOP?6 ? ESD Protected Gate ? Pb?Free Package for Green Manufacturing (G Suffix)
描述与应用 小信号MOSFET 30 V，270 mA时，单N沟道，SC-70 ?低栅极电荷快速开关 ?占地面积小 - 30％小于TSOP-6 ?ESD保护门 ?面向绿色制造的无铅封装（G后缀）
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