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型号: |
PHT6N03T |
标记/丝印/代码/打字: |
6N01T |
厂家: |
NXP/PHILIPS |
封装: |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
批号: |
05+ |
库存数量: |
0 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
技术文档PDF: |
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PHT6N03T 6N01T 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
16V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
12.8A |
源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.03Ω/Ohm @3.2A,10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
2.0-4.0V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
8.3W |
Description & Applications |
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描述与应用 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
PHT4NQ10LT |
4NQ10L |
NXP/PHILIPS |
05+ |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
150 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
PHT4NQ10T |
4NQ10T |
NXP/PHILIPS |
01+ |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
PHT6N03T |
6N03T |
NXP/PHILIPS |
05+ |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
1250 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
PHT6N03T |
6N01T |
NXP/PHILIPS |
05+ |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
PHT6N06T |
6N06T |
NXP/PHILIPS |
02+ |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
120 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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