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PHT6N06T
 型号:  PHT6N06T
 标记/丝印/代码/打字:  6N06T
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOT-223/SC-73/TO261-4
 批号:  02+
 库存数量:  120
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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PHT6N06T 6N06T 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 55V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 5.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.15Ω/Ohm @5A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 2.0-4.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 8.3W
Description & Applications
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