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PMN45EN
 型号：  PMN45EN
 标记/丝印/代码/打字：  45
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-163/TSOP-6/SC-74
 批号：  05+
 库存数量：  1150
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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PMN45EN 45 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 5.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 50m?@ VGS =4.5V, ID =2.8A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1~2V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.75W
Description & Applications Description N-channel enhancement mode ?eld-effect transistor in a plastic package using Trench MOS? technology. Features Trench MOS? technology Very fast switching Low threshold voltage Surface mount package. Applications Battery powered motor control Load switch in notebook computers High speed switch in set top box power supplies Driver FET in DC to DC converters.
描述与应用 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装使用沟槽MOS?技术。 特点 沟槽MOS?技术 开关速度非常快 低阈值电压 表面贴装封装。 应用 电池动力的电机控制 在笔记本电脑的负荷开关 高速开关机顶盒电源 在DC到DC转换器的驱动器FET。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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