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PDTD123YT
 型号：  PDTD123YT
 标记/丝印/代码/打字：  W7X
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  07NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼NPNNPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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PDTD123YT W7X 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 500mA/0.5A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 10KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio 0.22
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 70
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation 0.25W /250mW
Description & Applications FEATURES Built-in bias resistors Reduces component count Simpli?es circuit design Reduces pick and place costs 500 mA output current capability ±10 % resistor ratio tolerance
描述与应用 特性 内置偏置电阻 减少了元件数量 简化电路设计 减少取放成本 500 mA的输出电流能力 电阻比例容差±10％
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