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RSS065N06FW6TB1
 型号：  RSS065N06FW6TB1
 标记/丝印/代码/打字：  RSS065N06
 厂家：  ROHM
 封装：  sop8
 批号：  05+
 库存数量：  100
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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RSS065N06FW6TB1 RSS065N06 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 6.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 48m?@ VGS =4V, ID =6.5A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1~2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 2W
Description & Applications 4V Drive Nch MOS FET Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package . Applications Switching
描述与应用 4V驱动N沟道MOS FET 特点 1）低导通电阻。 2）内置G-S的保护二极管。 3）小型表面贴装封装。 应用 开关
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