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SSM3J16FV
 型号：  SSM3J16FV
 标记/丝印/代码/打字：  DT
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-723/VESM
 批号：  12+ROHS
 库存数量：  256800
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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SSM3J16FV DT 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -0.1A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 8Ω @-10mA,-4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.1V--1.7V
耗散功率Pd Power Dissipation 100mW/0.1W
Description & Applications High Speed Switching Applications Analog Switch Applications ? Small package ? Low ON resistance : Ron = 12 Ω (max) (@VGS = ?4 V) Ron = 32 Ω (max) (@VGS = ?2.5 V)
描述与应用 高速开关应用 模拟开关应用 ?小型封装 ?低导通电阻RON =12Ω（最大）（@ VGS=-4 V） 罗恩=32Ω（最大）（@ VGS=-2.5 V）
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