15C01S YP 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
600mA/0.6A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
330MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
300~800 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
330mV/0.33V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Applications ? Low-frequency General-Purpose Amplifier, muting circuit. Features ? Large current capacitance. ? Low collector-to-emitter saturation voltage . ? Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products. ? Small ON-resistance |
| 描述与应用 |
NPN平面外延硅晶体管 应用 ?低频通用放大器，静音电路。 特点 ?大电流容量。 ?低集电极 - 发射极饱和电压。 ?超小封装，有利于在终端产品的小型化。 ?小导通电阻 |
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