2N7002K-T1-E3 7K 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
300mA/0.3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
2Ω/Ohm @500mA,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1-2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
350mW/0.35W |
| Description & Applications |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Features N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Low On-Resistance: 2 Ω Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 ns Low Input and Output Leakage TrenchFET? Power MOSFET 2000 V ESD Protection |
| 描述与应用 |
N沟道60-V（D-S）的MOSFET 特性 N沟道60-V（D-S）的MOSFET 低导通电阻：2Ω 低阈值：2 V（典型值 低输入电容：25 pF 开关速度快：25纳秒 低输入和输出泄漏 的TrenchFET?功率MOSFET 2000 V ESD保护 |
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