2N7002VA-7 KAY 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
280mA/0.28A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
7.5?@ VGS = 5V,ID = 50mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1~2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package Lead Free By Design/RoHS Compliant |
| 描述与应用 |
双N沟道增强型场效应晶体管 特点 双N沟道MOSFET 低导通电阻？ 低栅极阈值电压 低输入电容？ 开关速度快吗？ 低输入/输出漏？ 超小型表面贴装封装 无铅设计/符合限制有害物质指令（RoHS）规范要求 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
