2SA1204-Y RY 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?35V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?35V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?800mA/-0.8A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
120MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
160~320 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?700mV/-0.7V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) ? High DC current gain: hFE = 100 to 320 ? Suitable for output stage of 1 watts amplifier ? Small flat package ? PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate) ? Complementary to 2SC2884 |
| 描述与应用 |
硅PNP外延式（PCT的进程） ?高直流电流增益：HFE= 100到320 ?适用于1瓦的放大器输出级 ?小型扁平封装 ?PC=1.0?2.0 W（安装在陶瓷基板上） ?互补2SC2884 |
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