2SA1424 R52 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-12V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-50mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
4GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
20~200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-5V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
PNP silicon high Frequency transistor high gain bandwidth product； high gain； low noise |
| 描述与应用 |
PNP硅高频晶体管 高增益带宽积; 高增益; 噪音低 |
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