2SA1434 FL 的参数 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-60V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?100mA/-0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
500~1200 |
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?200mV/-0.2V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
Description & Applications |
High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications Applications · Low frequency general-purpose amplifiers, drivers, muting circuits. Features · Very small-sized package permitting 2SA1434-used sets to be made smaller, slimer. · Adoption of FBET process. · High DC current gain (hFE=500 to 1200). · Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat)≤0.5V). · High VEBO (VEBO≥15V). |
描述与应用 |
HFE高,低频率的通用放大器应用 应用 ?·低频通用放大器,驱动程序, 静音电路。 特点 ?·小型封装,允许2SA1434使用集变得更小,slimer。, ?·采用的FBET过程。 ?·高DC电流增益(电流增益(hFE)=500?1200)。 ?·低集电极 - 发射极饱和电压 (VCE(sat)的≤0.5V)。 ?·高VEBO(VEBO≥15V)。 |
技术文档PDF下载 |
在线阅读  |