2SA1615-Z-E2 A1615 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?10A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
180MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~600 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?200mV/-0.2V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING FEATURES ? Large current capacity: IC(DC): ?10 A, IC(pulse): ?15 A ? High hFE and low collector saturation voltage: hFE = 200 MIN. (@VCE = ?2.0 V, IC = ?0.5 A) VCE(sat) ≤ ?0.25 V (@IC = ?4.0 A, IB = ?0.05 A) |
| 描述与应用 |
PNP硅外延晶体管高速开关 特点 ?大电流容量： IC（DC）：-10，IC（脉冲）：-15? ?高HFE和低集电极饱和电压： HFE= 200分钟。 （@ VCE= -2.0 V，IC=-0.5 A） VCE（sat）≤-0.25 V（@ IC= -4.0 A，IB=-0.05?） |
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