2SA1669 BS 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-50mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
3GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
15 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
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| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
PNP Epitaxial planar silicon transistor High-Frequency amp application high cutoff frequency; high power gain； small noise figure |
| 描述与应用 |
PNP外延平面硅晶体管 高频放大器的应用 高截止频率; 高功率增益; 噪声系数小 |
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