2SA1728-4 DS4 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?500mA/-0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
350MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?200mV/-0.2V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
PNP Epitaxial planar silicon transistor High-speed switching applications adoption of FBET process； low collector-to-emitter saturation voltage； fast switching speed |
| 描述与应用 |
PNP外延平面硅晶体管 高速开关应用 采纳的FBET过程; 低集电极 - 发射极饱和电压; 开关速度快 |
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