2SA1729R AGR 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-1.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
300MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-300mV/-0.3V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1.3W |
| Description & Applications |
PNP epitaxial planar silicon transistor High-speed switching application adoption of FBET process； low collector-to-emitter saturation voltage； fast switching speed； large current capacity |
| 描述与应用 |
PNP外延平面硅晶体管 高速开关应用 采纳的FBET过程; 低集电极 - 发射极饱和电压; 开关速度快; 大电流容量 |
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