2SA1797-Q AGQ 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-3A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~270 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?150mV/-0.15V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Power Transistor (?50V, ?3A) Features 1) Low saturation voltage. VCE (sat) = ?0.35V (Max.) at IC / IB = ?1A / ?50mA. 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SC4672. |
| 描述与应用 |
功率晶体管（-50V，-3A） 特点 1）低饱和电压。 VCE（sat）=-0.35V（最大）在IC/ IB=-1A/-50mA的。 2）优秀DC电流增益特性。 3）补充2SC4672。 |
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