2SA1813 KS 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?25V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?150mA/-0.15A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
210MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
500~1200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?150mV/-0.15V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Low-Frequency General-Purpose Amplifier Driver, Muting Circuit Applications Features · Very small-sized package permitting 2SA1813-applied sets to be made smaller and slimmer. · Adoption of FBET process. · High DC current gain (hFE=500 to 1200). · Low collector-to-emitter saturation voltage(VCE(sat)≤0.3V). · High VEBO (VEBO≥15V). |
| 描述与应用 |
低频通用放大器驱动器，静音电路应用 特点 ?·小型封装允许2SA1813应用设置做得更小，更薄。 ?·采用的FBET过程。 ?·高DC电流增益（电流增益（hFE）=500?1200）。 ?·低集电极 - 发射极饱和电压（VCE（sat）的≤0.3V）。 ?·高VEBO（VEBO≥15V） |
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