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2SB1118T
 型号：  2SB1118T
 标记/丝印/代码/打字：  BA-T
 厂家：   SANYO
 封装：   SOT-89/PCP/SC-62
 批号：  05+
 库存数量：  200
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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2SB1118T BA-T 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) ?20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?15V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -700mA/-0.7A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 200~400
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage -120mV/-0.12V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications PNP Silicon epitaxial planar transistor Low-Voltage High-Current Amplifier,Muting Applications Features Low collector-to-emitter saturation voltage. Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid IC’s.
描述与应用 PNP硅外延平面晶体管 低电压高电流放大器，静音应用 特点 低集电极 - 发射极饱和电压。 体积非常小，因此很容易提供高密度，小型混合IC。
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