2SB1215S B1215 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-120V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?100V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-3A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
130MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
140~280 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?500mV/-0.5V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
PNP Silicon epitaxial planar transistor High current switching applications Applications Relay drivers ,high speed inverters,converters,and other general high current switching applications Feature Low collector-to-emitter saturation voltage high fT Excellent linearity of hFE Fast switching time |
| 描述与应用 |
PNP硅外延平面晶体管 高电流开关应用 应用 继电器驱动器，高速逆变器，转换器，及其他一般高电流开关应用 特点 低集电极 - 发射极饱和电压 高FT 出色的线性度HFE 快速开关时间 |
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