2SB1234 PL 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?200mA/-0.2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
5000 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-1.5V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
PNP Silicon epitaxial planar transistor Driver Applications Features AF amplifier, solenoid drivers, LED drivers. Darlington connection. High DC current gain. Very small-sized package |
| 描述与应用 |
PNP硅外延平面晶体管 驱动器应用 特点 AF放大器，电磁驱动器，LED驱动器。 达林顿连接。 高直流电流增益。 非常小的封装 |
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