2SB1275HRATLQ B1275 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-160V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-160V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-1.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
50MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
56~180 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-2V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
PNP Silicon epitaxial planar transistor Power Transistor Features 1) High breakdown voltage. 2) Low collector output capacitance. 3) High transition frequency.(fT = 50MHZ) 4) Complements the 2SD1918 |
| 描述与应用 |
PNP硅外延平面晶体管 功率晶体管 特点 1）高的击穿电压。 2）低集电极输出电容。 3）高转换频率（FT =50MHZ） 4）补充2SD1918 |
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