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2SB1301
 型号：  2SB1301
 标记/丝印/代码/打字：  ZQ
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-89/SC-62
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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2SB1301 ZQ 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) ?20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -16V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -5A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 140MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 200~400
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage ?500mV/-0.5V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 2W
Description & Applications PNP Silicon epitaxial planar transistor Features 1) Low collector-to-emitter saturation voltage 2)Large current capacity and wide ASO 3) High hFE 4) Complements to 2SD1952.
描述与应用 PNP硅外延平面晶体管 特点 1）低集电极 - 发射极饱和电压 2）大电流容量，广ASO 3）高hFE 4）补充型2SD1952。
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