2SB1316TR B1316 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-100V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?100V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
1000~10000 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-1.5V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
PNP Silicon epitaxial planar transistor Power transistor Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in resistor between base and emitter. 3) Built-in damper diode. 4) Complements the 2SD1980 |
| 描述与应用 |
PNP硅外延平面晶体管 功率晶体管 特点 1）达林顿连接高直流电流增益。 2）内置基极和发射极之间的电阻。 3）内置阻尼二极管。 4）补充2SD1980 |
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