2SB1661S B1661 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-300V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?300V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?150mA/-0.15A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
11MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
50~200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-1000mV/-1V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
10W |
| Description & Applications |
Silicon PNP Triple Diffused Low Frequency Amplifier Features High voltage . |
| 描述与应用 |
三重扩散PNP硅晶体管 特点 高电压。 |
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