2SB789 DQ 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-100V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?100V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?500mA/-0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
120MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
90~220 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?200mV/-0.2V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency driver amplification Complementary to 2SD968 and 2SD968A Features High collector to emitter voltage VCEO. Large collector power dissipation PC |
| 描述与应用 |
硅PNP外延刨床类型 对于低频驱动放大 2SD968互补和2SD968A 特点 高集电极发射极电压VCEO。 大集电极功耗PC |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
