2SB815B7 B7 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-700mA/-0.7A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
300~600 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-60mV |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
silicon (PNP/NPN) Epitaxial planar transistors large current capacity and low saturation voltage |
| 描述与应用 |
硅（PNP/ NPN）外延平面晶体管 大电流能力和低饱和电压 |
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