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2SB933(U)-P-(DS)
 型号:  2SB933(U)-P-(DS)
 标记/丝印/代码/打字:  B933
 厂家:   NEC
 封装:   TO-263/N-G1
 批号:  05+
 库存数量:  2000
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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2SB933(U)-P-(DS) B933 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) ?130V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?80V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -5A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 30MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 130~560
管压降VCE(sat) Collector-Emitter SaturationVoltage ?500mV/-0.5V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 1.3W
Description & Applications Silicon PNP epitaxial planar type For Power switching Complementary to 2SD1256 ■ Features ? Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) ? Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE ? Large collector current IC ? N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.
描述与应用 PNP硅外延平面型 电源开关 互补2SD1256 ■特点 ?低集电极 - 发射极饱和电压VCE(星期六) ?良好的线性正向电流传输比HFE ?大集电极电流IC ?N型包可以直接焊接在印刷电路板等的小型电子设备的散热片。
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