2SC4619 TLP SP 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
19V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
1.1GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
82~180 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
100mV/0.1V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW-200mW |
| Description & Applications |
epitaxial planer NPN Silicon transistor RF Amplifier High transition frequency: fT-1.1GHz Low collector to base time constant and high gain Excellent noise response |
| 描述与应用 |
外延刨床NPN硅晶体管 射频放大器 高转换频率：FT-1.1GHz 集电极到基极的时间常数时间低以及高增益 出色的噪声响应 |
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