2SC5012 R37 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
10V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
65mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
9Ghz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
50~250 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
8V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
Features ? SILICON TRANSISTOR ? HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD ? Small Package ? High Gain Bandwidth Product (fT = 9 GHz TYP.) ? Low Noise, High Gain ? Low Voltage Operation |
| 描述与应用 |
特点 ?硅晶体管 ?高频低噪声放大器NPN硅外延晶体管4针SUPER MINI MOLD ?小包装 ?高增益带宽积（FT =9 GHz的TYP。） ?低噪声，高增益 ?低电压操作 |
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