2SD1618T DAT 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
700mA/0.7A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
10mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Silicon Transistor Low-Voltage High-Current Amplifier, Features · Low collector-to-emitter saturation voltage. · Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid IC’s. |
| 描述与应用 |
硅晶体管 低电压高电流放大器， 特点 ?·低集电极 - 发射极饱和电压。 ?·体积非常小，因此很容易提供高密度，小尺寸的混合集成电路。 |
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