2SD1619T DBT 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
25V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
25V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
180MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
100mV/0.1V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor LF featrues * ultrasmall size supports high density ,ultrasmall-sized hybird ic designs |
| 描述与应用 |
NPN平面外延硅晶体管 LF featrues *超小尺寸，支持高密度，超小尺寸的摄录IC设计 |
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