2SD1816S-TL D1816 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
120V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
100V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
4A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
180MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
140~280 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
150mV/0.15V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High Current Switching Applications Applications · suitable for relay drivers, high speed inverters,converters,and other general high current switching application. Features * high fT * fast switch time * Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) * good linearity of hFE |
| 描述与应用 |
PNP/ NPN平面外延硅晶体管 高电流开关应用 应用 ?·适合于继电器驱动器，高速逆变器，转换器，及其他一般高电流开关应用。 特点 ?*高FT *快速开关时间 *低集电极到发射极饱和电压VCE（SAT） *良好的线性HFE |
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