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2SJ106-GR
 型号:  2SJ106-GR
 标记/丝印/代码/打字:  VG
 厂家:  TOSHIBA
 封装:  SOT-23/SC59
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  结型(JFET)-P沟道JFET P-Channel
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2SJ106-GR VG 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 50 V
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage 50 V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current -2.6~-6.5mA
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage 0.3~6.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL JUNCTION TYPE 2SJ106 AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS CONSTANT CURRENT APPLICATIONS IMPEDANCE CONVERTER APPLICATIONS High Breakdown Voltage : VGDS=50V High Input Impedance : IGSS=1.0nA(Max.)(VGS=30V) Low RDS(ON) : RDS(ON)=270Ω(Typ.) (IDSS=-5mA) Small Package
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅P沟道结型 2SJ106 音频放大器应用 模拟开关应用 恒定电流的应用 阻抗转换器应用 高击穿电压:VGDS= 50V 高输入阻抗:IGSS=1.0nA(最大)(VGS=30V) 低RDS(ON) RDS(ON)=270Ω(典型值)(IDSS=-5mA) 小包装
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