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2SJ185
 型号:  2SJ185
 标记/丝印/代码/打字:  H12
 厂家:  NEC
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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2SJ185 H12 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 7V
最大漏极电流Id Drain Current -100mA/-0.1A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 13Ω -10mA,-4V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -1.2--2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING Directly driven by ICs having a 3V power supply Not necessary to consider driving current because of its high input impedance Possible to reduce the number of parts by omitting the bias resistor Complementary to 2SK1399
描述与应用 MOS场效应晶体管 P-通道 MOS FET 高速开关 直接驱动3V电源IC 不必考虑驱动电流,因为它的高输入阻抗 能够减少部件的数量通过省去偏置电阻 对管是2SK1399
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