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2SJ191
 型号:  2SJ191
 标记/丝印/代码/打字:  J191
 厂家:  SANYO
 封装:  TO-252/DPAK/TP-FA
 批号:  05+
 库存数量:  76
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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2SJ191 J191 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 15V
最大漏极电流Id Drain Current -2A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.35Ω @-1A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -1.0--2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 20W
Description & Applications Low ON resistance Very high-speed switching Low voltage drive
描述与应用 低导通电阻 非常高的速度开关 低电压驱动
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