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2SJ302-Z-E1 J302 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-16A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.1Ω @-8A,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0--2.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
75W |
| Description & Applications |
Low ON resistance |
| 描述与应用 |
低导通电阻 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SJ302-Z-E1 |
J302 |
NEC |
05+ |
TO263 |
31 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ302-Z-E1 |
J302 |
NEC |
04+ |
TO263 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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