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型号: |
2SJ315 |
标记/丝印/代码/打字: |
J315 |
厂家: |
TOSHIBA |
封装: |
TO-252/DPAK |
批号: |
05+ |
库存数量: |
700 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
技术文档PDF: |
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2SJ315 J315 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-60V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-60V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-5A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.21Ω @-2.5A,-10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.8--2.0V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
20W |
Description & Applications |
TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE DC-DC CONVERTER 4-volt gate drive low drain-source on resistance high forward transfer admittance low leakage current enhancement-mode |
描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型 DC-DC转换 4伏栅极驱动 低漏源电阻 高正向转移导纳 低漏电流 增强模式 |
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详细资料 |
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