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型号： |
2SJ326-Z-E1 |
| 标记/丝印/代码/打字： |
J326 |
| 厂家： |
NEC |
| 封装： |
TO-252/DPAK |
| 批号： |
05+ |
| 库存数量： |
0 |
| 所属分类： |
场效应管FET
MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
| 技术文档PDF： |
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2SJ326-Z-E1 J326 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-2A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.28Ω @-1A,-4V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0--2.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
20W |
| Description & Applications |
MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE low on-state resistance low Ciss built-in G-S gate protecion diode |
| 描述与应用 |
MOS场效应功率晶体管 开关 P沟道功率MOS FET 工业用途 低通-态电阻 Ciss低 内置G-S门的法律保护二极管 |
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在线阅读 |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SJ324 |
J324 |
NEC |
05+ |
TO-252/DPAK |
1500 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ325-Z-E1 |
J325 |
NEC |
05+ |
TO-252/DPAK |
0 |
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| 2SJ325-Z-E1 |
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NEC |
05+ |
TO-252/DPAK |
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J326 |
NEC |
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TO-252/DPAK |
0 |
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| 2SJ327-Z-E1 |
J327 |
NEC |
05+ |
TO-252/DPAK |
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