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型号: |
2SJ328-Z-E1 |
标记/丝印/代码/打字: |
J328 |
厂家: |
NEC |
封装: |
TO-220FL/SM |
批号: |
05+ |
库存数量: |
300 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
技术文档PDF: |
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2SJ328-Z-E1 J328 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-60V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-20A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.48Ω @-1A,-10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0--2.0V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
75W |
Description & Applications |
MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE low on-state resistance low Ciss built-in G-S gate protecion diode |
描述与应用 |
MOS场效应功率晶体管 开关 P沟道功率MOS FET 工业用途 低通-态电阻 Ciss低 内置G-S门的法律保护二极管 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
2SJ324 |
J324 |
NEC |
05+ |
TO-252/DPAK |
1500 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
2SJ325-Z-E1 |
J325 |
NEC |
05+ |
TO-252/DPAK |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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2SJ325-Z-E1 |
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05+ |
TO-252/DPAK |
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2SJ328-Z-E1 |
J328 |
NEC |
05+ |
TO-220FL/SM |
300 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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2SJ326-Z-E1 |
J326 |
NEC |
06+ |
TO-252/DPAK |
0 |
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2SJ327-Z-E1 |
J327 |
NEC |
05+ |
TO-252/DPAK |
0 |
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