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2SJ550STL
 型号:  2SJ550STL
 标记/丝印/代码/打字:  J550
 厂家:  RENESAS
 封装:  LDPAK
 批号:  02+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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2SJ550STL J550 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -15A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.75Ω @-8A,-10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -1.0--2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 50W
Description & Applications Features ? Low on-resistance RDS(on) = 0.075? typ. ? Low drive current. ? 4V gate drive devices. ? High speed switching.
描述与应用 ?低导通电阻 RDS(ON)=0.075Ω(典型值)。 ?低驱动电流。 ?4V栅极驱动装置。 ?高速开关
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