2SJ574BP BP 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-0.3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
1.1Ω @-150mA,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.3--2.3V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
400mW/0.4W |
| Description & Applications |
Features ?Low on-resistance RDS = 1.1 typ. (VGS= -10 V , ID = -150 mA) RDS= 2.2 typ. (VGS = -4 V , ID = -150 mA) ?4 V gate drive device. ?Small package (MPAK) |
| 描述与应用 |
?低导通电阻 RDS=1.1（典型值）。 （VGS=-10V，ID= -150毫安） RDS=2.2（典型值）。 （VGS=-4 V，ID= -150毫安） ?4 V栅极驱动装置。 ?小型封装（MPAK） |
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