2SJ599-Z J599 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-20A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.06Ω @-10A,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.5--2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
35W |
| Description & Applications |
FEATURES ? Low on-state resistance: RDS(on)1 = 75 m? MAX. (VGS = –10 V, ID = –10 A) RDS(on)2 = 111 m? MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –10 A) ? Low input capacitance: Ciss = 1300 pF TYP. (VDS = –10 V, VGS = 0 V) ? Built-in gate protection diode ? TO-251/TO-252 package |
| 描述与应用 |
低通态电阻： 的RDS（on）1 =75mΩ最大。 （VGS=-10V，ID=-10 A） 的RDS（on）=111mΩ最大。 （VGS= -4.0 V，ID=-10 A） ?低输入电容： 西斯=1300 pF（典型值）。 （VDS= -10 V，V GS= 0 V） ?内置栅极保护二极管 ?TO-251/TO-252包 |
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