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2SJ610
 型号:  2SJ610
 标记/丝印/代码/打字:  J610
 厂家:  TOSHIBA
 封装:  TO-252/DPAK
 批号:  10+rohs
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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2SJ610 J610 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -250V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -2A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 1.85Ω @-10A,-10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -1.5--3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 20W
Description & Applications Features ?Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.85 ? (typ.) ?High forward transfer admittance: ?Yfs? = 1.8 S (typ.) ? Low leakage current: IDSS = ?100 μA (VDS = ?250 V) ? Enhancement-mode: Vth = ?1.5~?3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
描述与应用 ?低漏源导通电阻RDS(ON)= 1.85Ω(典型值) ?高正向转移导纳:?的YFS?=1.8 S(典型值) ?低漏电流:IDSS=-100μA(VDS=-250 V) ?增强模式:VTH=-1.5?-3.5 V(VDS=10V,ID=1毫安)
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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